AUIRFN8459TR

功能描述:MOSFET 2N-CH 40V 50A 8PQFN

制造商:infineon technologies

系列:HEXFET?

包装:带卷(TR)

零件状态:有效

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):50A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.9 毫欧 @ 40A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 50μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):60nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2250pF @ 25V

功率 - 最大值:50W

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-PowerTDFN

供应商器件封装:PQFN(5x6)

标准包装:4,000

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